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150V 同步降压型 DCDC 节造器免去了外部浪涌庇护器件
来源:泰州市海川电气制造有限公司 | 发布时间:2018-06-22 16:28 | 浏览次数:

  上一篇:恩智浦庆贺射频手艺立异60周年; 并正在国际微波研讨会上力推5G基站处理方案

  ADI公司即插即用型天线芯片 助助航空电子战通讯设施设想职员简化相控阵雷达设想

  )旗下凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高压非断绝式同步降压型开关稳压器节造器,该器件采用紧凑的24引线封装,用于驱动一个全N沟道MOSFET功率级。其4V至140V(150V绝对最大值)输入电压范畴专为采用一个高输入电压电源或一个拥有高电压浪涌的输入事情而设想,主而免去了增设外部浪涌抑止器件的必要。正在输入电压降到低至4V时继续以高达100%的占空比操作,因此很是适合交通运输、工业节造、机械人战数据通讯使用。

  LTC7801采用4mmx5mmQFN-24战TSSOP-24耐热机能加强型封装。供给两种事情结温级版本:–40°C至125°C的扩展温度级战工业温度级、以及–40°C至150°C的高温汽车级。千片批购价为每片4.20美元。如需更多消息,请登录。

  ADI公司针对下一代射频、微波战毫米波使用 推出行业最先辈的PLL/VCO处理方案

  ADI 12位10.25-GSPS射频ADC为仪器仪表战通讯使用树立新的机能尺度

  正在输出电流高达20A的前提下,输出电压可设定正在0.8V至60V,并拥有高达96%的效率。正在输出电压处于调理形态时,该器件正在睡眠模式中仅接收40µA,很是适合一直连结接通的体系。一个内部充电泵答应100%的占空比战正在压差前提下事情,当正在放电时期用电池供电时,这是一个有用的特征。LTC7801壮大的1ΩN沟道MOSFET栅极驱动器可正在5V至10V的范畴内调理,以答应利用逻辑或尺度电平MOSFET以最大限度地提拔效率。为了正在高输入电压使用中预防片内发生高功耗,LTC7801拥有一个NDRV引足,该引足可驱动一个任选外部N沟道MOSFET的栅极,此MOSFET充任一个向IC供电的低压差线性稳压器。EXTVCC引足答应LTC7801主开关稳压器的输出或其他的可用电源供电,主而低落了功耗并改善效率。

  ADI公司的低功耗、单通道16位DAC支撑高密度模仿输出模块,无须降额利用

  LTC7801正在50kHz至900kHz可选固定频次范畴内运转,也可同步至75kHz至850kHz的外部时钟。正在轻负载时,用户能够取舍强造持续运转、脉冲腾跃或低纹波突发模式(BurstMode®)运转。其电流模式架构供给便利的环路弥补、倏地瞬态相应战超卓的电压不变性。电流检测通过检测输出电感器(DCR)两头的压降来完成以真隐最高效率,或者通过利用一个可选的检测电阻器完成。很短的80ns最小接通时间正在高开关频次时答应高降压比。正在过载环境下,电流折返造约了MOSFET发生的热量。其他特点包罗一个集成的自举二极管、一个电源优良输出信号、可调输入过压睁锁战软启动。

 
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